特許

J-GLOBAL ID：200903046172809648

バンプ形成方法

発明者： 西森 尚 ,  柳原 浩
出願人/特許権者： 田中貴金属工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-254347
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067620
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ウェハー上に多数形成された半導体素子の電極部上に設けられるバンプが素子実装後経年変化で剥がれる現象を無くそうとする。【構成】 半導体素子2の全面にバリアメタル6をスパッタリングにより被着した後感光性レジストを塗布し、半導体素子間の切断エリア3を通して半導体素子上の全電極部4を連結するように感光性レジストをパターニングし、これをマスクにバリアメタルをエッチングする。感光性レジストを剥離し、純水でウェハーを洗浄する。感光性ポリイミド12を全面に塗布し、電極部のみを開口するようにパターニングし、前記のエッチングされたバリアメタルをメッキ用電極として湿式メッキ法により開口部にバンプを形成する。次に所定の温度で熱焼成して感光性ポリイミドをポリイミド化すると共にその膜厚を半減し、形成されたバンプをポリイミド膜より突出させる。

請求項（抜粋）：

ウェハー上に多数形成された半導体素子の電極部上にバンプを形成するに於いて、先ず半導体素子の全面にバリアメタルをスパッタリングにより被着した後感光性レジストを塗布し、次に半導体素子間の切断エリアを通して半導体素子上の全電極部を連結するように感光性レジストをパターニングし、次いでパターニングされた感光性レジストをマスクにバリアメタルをエッチングし、マスクとなった感光性レジストを剥離し、純水でウェハーを洗浄し、次に感光性ポリイミドを全面に塗布し、次いで電極部のみを開口するようにパターニングし、前記のエッチングされたバリアメタルをメッキ用電極として湿式メッキ法により開口部にバンプを形成し、次いでウェハーごと所定の温度で熱焼成して感光性ポリイミドをポリイミド化すると共にその膜厚を半減し、形成されたバンプをポリイミド膜より突出し、然る後半導体素子間の切断エリア上のバリアメタル及びポリイミド膜を切断することを特徴とするバンプ形成方法。