特許

J-GLOBAL ID：200903046175900565

半導体装置

発明者： 吉持 賢一
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-099576
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311529
出願日： 2003年04月02日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】スイッチング特性の向上を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置1は、シリコン基板上にトレンチ5が形成されており、トレンチ5の内部にはゲート電極9が配置されている。トレンチ5の内側壁面は、面方位が(100)である第1の内側壁面5s1と、面方位が(110)である第2の内側壁面5s2とを含んでいる。トレンチ5の内壁面に沿って、ゲート酸化膜6が形成されている。第1の内側壁面5s1に沿うゲート酸化膜6を挟んでゲート電極9に対向する領域にソース領域7が形成されている。第2の内側壁面5s2に沿うゲート酸化膜6近傍の領域には、ソース領域7は形成されておらず、P+領域8が形成されている。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の表層部に形成された第1導電型のチャネル領域と、 このチャネル領域を貫通して形成されたトレンチの縁部に形成された上記第1導電型とは異なる第2導電型のソース領域と、 上記トレンチの内壁面に沿って形成されたゲート酸化膜と、 上記トレンチ内において、上記ゲート酸化膜を挟んで上記チャネル領域に対向するように配置されたゲート電極とを含み、 上記トレンチの内壁面は、面方位が(100)である第1の内側壁面と、この第1の内側壁面とは面方位が異なる第2の内側壁面と、主たる面方位が上記第1の内側壁面より原子の面密度が大きい面方位である底面とを含んでおり、 上記ソース領域が、上記第2の内側壁面に沿う上記ゲート酸化膜近傍の領域を回避して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (6件)：

H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 655G