面発光半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037919
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236852
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】面発光半導体レーザに関し、簡便に基本横モードのビームを得ることができるとともに、内部抵抗の増大を回避できる手段を提供する。【構成】 n型半導体基板1の上に形成されたn側反射膜2とp側反射膜6に挟まれた、n側クラッド層3、光共振器内にノンドープ活性層4、p側クラッド層5を有し、p側反射膜6にはp側電極7を有し、n型半導体基板1には、例えば基本横モードの光ビーム径の1.5倍を超えない直径の光放射用の開口部81 をもったn側電極8を有し、この開口部81 には、ノンドープ活性層4からの発光のうち基本横モードに対応する波長近傍の光に対して高い透過率を有する誘電体多層膜または半導体多層膜からなる波長フィルタ9を有する構成とした。また、上記とは逆に、p側反射膜の上に光放射用の開口部をもったp側電極を形成し、その開口に上記の透過帯域を有する波長フィルタを設けることもできる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に1対の反射膜を有し、該1対の反射膜に挟まれた光共振器内に活性層を有し、該反射膜側には電極を有し、該半導体基板側には光出射用の開口部をもった電極を有し、該開口部には活性層からの発光のうち、基本横モードに対応する波長近傍の光に対して高い透過率を有する波長フィルタを有することを特徴とする面発光半導体レーザ。

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