特許
J-GLOBAL ID：200903046183276315
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-366785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196138
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 GaAs基板の上に形成する各種の半導体素子において、基板との格子の不整合に起因する問題を解消し、高性能且つ高信頼性を有する半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 GaAs基板の上にGaAlAs層またはInGaAlAs層を含んだ素子構造を形成するに際して、これらの層にりん(P)または窒素(N)を添加することにより、その格子定数をGaAs基板を一致させて格子歪みの発生を解消することができ、同時に、GaAlAs層やInGaAlAs層が有する化学的な不安定性を緩和し、素子の信頼性を改善することができる。さらに、バンドギャップを拡大して、光の吸収率を低下させたり、光の閉じ込め効率を改善するなどの効果も得ることができる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板と、前記GaAs基板上に設けられ、前記GaAs基板と格子定数が一致するようにIn<SB>x</SB>Ga<SB>(1-x-y)</SB>Al<SB>y</SB>As(0≦x<1、0<y<1)にりん(P)と窒素(N)の少なくともいずれかを添加した化合物半導体からなる層と、を備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01S 3/18 673
5F041AA11
, 5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA48
, 5F041CA55
, 5F041CA57
, 5F041FF01
, 5F041FF16
, 5F073BA05
, 5F073CA15
, 5F073CB02
, 5F073CB12
, 5F073EA05
, 5F073EA06
, 5F073EA07
, 5F073EA23
, 5F073EA28
