特許
J-GLOBAL ID：200903046183775877
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080478
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243248
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 ベース拡散層の端部とそれに接する他の構成層との間に空洞部が生じないバイポーラトランジスタを含む半導体装置を提供する。【構成】 半導体装置は、ベース拡散層8の端部と接触するベース引き出し電極6の接触面の半導体基板1面に対する傾斜角度がベース拡散層8の端部に生じるファセット15の傾斜角度よりも大きくない角度を有する。この半導体装置の製造方法においては、ベース拡散層8を選択エピタキシャル法によって形成する前に、上述した角度の端面を有するベース領域絶縁膜17をベース領域空間18にのみ選択的に形成し、その後ベース領域絶縁膜17と接する領域にベース引き出し電極6を形成し、その後ベース領域絶縁膜17を除去し、さらにベース領域空間18にベース拡散層8を形成する。
請求項（抜粋）：
選択エピタキシャル成長法によって形成するベース拡散層を有するバイポーラトランジスタが半導体基板上に形成された半導体装置において、前記ベース拡散層の端部と接触する他の構成層の接触面の前記半導体基板面に対する傾斜角度が前記ベース拡散層の端部に生じる傾斜面の傾斜角度よりも大きくない角度を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開平3-296223
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特開昭63-308377
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特開平3-131037
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