特許
J-GLOBAL ID：200903046190516976
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-031788
公開番号（公開出願番号）：特開平9-230371
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 開口率を向上するとともに、スイッチング素子の配線と遮光層との間に形成されるコンデンサの容量を小さくし、画像品質の優れた液晶表示装置を得るためのアクティブマトリクス基板を実現する。【解決手段】 ガラス基板上にCrからなるブラックマトリクス2を形成しておき、その上にSiO2 膜を介して透明表示電極4a,TFTおよびその行配線7,列配線8を形成する。アクティブマトリクス基板にブラックマトリクス2を設けることにより開口率を向上し、ブラックマトリクス2に不連続部分を設け、ブラックマトリクス2と行配線7,列配線8との重なり部分を小さく分割することにより、その重なり部分に形成されるそれぞれのコンデンサの容量を小さくでき、その容量を介して干渉する行配線7,列配線8の信号はその容量に比例して小さくなり、液晶表示装置の画像の劣化を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
透明基板上にスイッチング素子を有する透明表示電極をマトリクス状に配置し、前記透明表示電極間に前記スイッチング素子の配線を配置し、前記透明表示電極間および前記スイッチング素子の領域を遮光するように遮光層を格子状に配置したアクティブマトリクス基板であって、前記格子状の遮光層は、前記透明基板上に形成した金属からなり、かつ各透明表示電極について前記格子状の行方向と列方向とを分離するように不連続部分を設け、前記遮光層より上層に絶縁層を介して前記透明表示電極,前記スイッチング素子およびその配線を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136
, G02F 1/1335 530
, H01L 29/786
G02F 1/136
, G02F 1/1335 530
, H01L 29/78 619 B
