特許

J-GLOBAL ID：200903046191417890

結晶化方法及び結晶化装置

発明者： 十文字 正之
出願人/特許権者： 株式会社 液晶先端技術開発センター
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-069471
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259981
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 基板上の所望の位置に所望サイズの半導体結晶粒を極めて再現性良く形成することができ、大量生産方式に好適の結晶化方法および結晶化装置を提供する。【解決手段】 結晶化のための最適条件として結晶化装置が固有に有する種々の装置パラメータを求め、求めた装置パラメータを読み出し可能に記憶・保有しておき、レシピを入力し、入力されたレシピに応じて装置パラメータを読み出し、読み出した装置パラメータにより結晶化装置を制御し、制御された結晶化装置から被処理基板にレーザ光を照射して、非単結晶半導体膜を結晶化させ、さらに結晶粒をラテラル成長させる。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

変調レーザ光を非単結晶半導体膜に照射して該非単結晶半導体膜を部分的に溶融させ、その凝固過程で結晶化する結晶粒をラテラル成長させる結晶化方法において、 (a)結晶化のための最適条件として結晶化装置が固有に有する種々の装置パラメータを求め、求めた装置パラメータを読み出し可能に記録装置に記憶・保有しておき、 (b)結晶化のためのレシピを入力し、入力されたレシピに応じて前記装置パラメータを読み出し、読み出した装置パラメータにより前記結晶化装置を制御し、 (c)制御された結晶化装置から被処理基板にレーザ光を照射して、前記非単結晶半導体膜を結晶化させ、さらに結晶粒をラテラル成長させることを特徴とする結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (4件)：

H01L21/20 ,  H01L21/268 J ,  H01L21/268 T ,  H01L29/78 627G

Fターム (48件)：

5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA12 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052EA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL24 ,  5F110NN02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP11 ,  5F110PP23 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11