特許
J-GLOBAL ID：200903046204093895
ポジ型フォトレジスト組成物
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-104998
公開番号（公開出願番号）：特開平11-295895
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 ポジ型フォトレジスト組成物において、遠紫外光、とくにエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決することで、短波長光源の使用に対して高感度、高解像力、パタ-ンプロファイルが優れたレジスト組成物の開発である。その中でも、とりわけ解像力(限界解像力)の向上である。【解決手段】特定の構造の酸で分解する基を有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する化合物、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合物、及び活性光線または放射線の照射により分解して塩基を発生する化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(a)下記一般式(I)で示される酸で分解する基を有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する化合物、(b)活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合物、及び(c)活性光線または放射線の照射により分解して塩基を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式中、R1 は水素原子又はメチル基を表す。R2 はメチル基又はエチル基を表し、R3 は炭素数1〜4個のアルキル基を表す。
IPC (5件)：
G03F 7/039 601
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, G03F 7/004 503 B
, H01L 21/30 502 R
