特許

J-GLOBAL ID：200903046205856744

半導体装置の製造方法

発明者： 吉田 浩二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304399
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110715
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 有機基板に対する半導体チップのフリップチップ実装において、アンダーフィル樹脂の熱硬化工程における接合部の接合強度信頼性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体チップ10と有機基板12との間に充填したアンダーフィル樹脂15Aの熱硬化工程を、アンダーフィル樹脂15Aの硬化温度T2よりも低い温度T1で所定時間加熱する多段階の加熱工程とすることにより、有機基板12の急激な加熱による熱膨張を緩和する。

請求項（抜粋）：

有機部材からなる回路基板上に半導体チップを接合する接合工程と、前記接合された回路基板と前記半導体チップとの間に熱硬化性樹脂を注入、充填する樹脂注入工程と、前記充填した熱硬化性樹脂を硬化温度に加熱して硬化させる熱硬化工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化工程を、前記硬化温度より低い温度から前記硬化温度まで、多段階の温度でそれぞれ所定時間加熱する工程とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S

Fターム (6件)：

5F044LL11 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA05 ,  5F061CB13 ,  5F061DB01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315560   出願人：日本電気株式会社