特許

J-GLOBAL ID：200903046206350291

非破壊検査用半導体デバイスおよびその製造方法ならびに非破壊検査方法および非破壊検査装置

発明者： 二川 清
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067744
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269291
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 電気的な接続を不要とし、かつショート欠陥の検出を可能とする。【解決手段】 半導体デバイスウェハ40内に熱起電力発生構造21が形成されている。熱起電力発生構造21は、被検査対象の第1層目配線34a、34bに接続されている。これらの配線間にショート欠陥42が存在すると、レーザビーム3により熱起電力発生構造21が照射された際に発生する熱起電力により電流がショート欠陥42を通じて流れる。その電流が誘起する磁場は磁場検出器で検出され、検出結果は例えばレーザビーム3の走査に対応して像表示装置に輝度表示することで走査磁場像が得られる。また、レーザビーム3の走査と同時に、または相前後して反射光によるレーザ走査顕微鏡像が取得され、2つの像が重ね合わせて表示される。この画像よりショート欠陥42の位置を特定できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に近接して配置された第1および第2の導電体を含む半導体デバイスであって、前記半導体基板上に配設された熱起電力発生体と、前記熱起電力発生体の一端と前記第1の導電体とを接続する第1の配線と、前記熱起電力発生体の他端と前記第2の導電体とを接続する第2の配線とを含むことを特徴とする非破壊検査用半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/00 ,  G01N 27/72 ,  H01L 39/22 ZAA

FI (4件)：

H01L 21/66 S ,  G01N 27/00 Z ,  G01N 27/72 ,  H01L 39/22 ZAA D

Fターム (32件)：

2G053AA11 ,  2G053AB01 ,  2G053AB14 ,  2G053BA16 ,  2G053CA10 ,  2G053DB07 ,  2G053DB19 ,  2G060AA09 ,  2G060AA20 ,  2G060AE01 ,  2G060AF01 ,  2G060AF13 ,  2G060EA03 ,  2G060EA04 ,  2G060EA06 ,  2G060EA07 ,  2G060EB09 ,  2G060HC10 ,  2G060HC18 ,  2G060KA16 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA16 ,  4M106CA28 ,  4M106DH01 ,  4M106DH11 ,  4M106DJ23 ,  4M113AC06 ,  4M113AC46 ,  4M113AD44 ,  4M113CA13 ,  4M113CA34