多結晶シリコン薄膜トランジスターの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-190510
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181324
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】低電圧から駆動でき、その製造工程時間を大幅に短縮させることができ、かつ、全製造工程を600°C以下の低温で遂行することができる、薄膜トランジスターの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板61上に形成された非晶質シリコン薄膜を常圧以上100atm以下の高圧の酸素雰囲気で、かつ、600°C以下の温度で熱処理して、多結晶シリコン膜62と酸化膜63とを同時に形成し、前記酸化膜63の上にゲート電極64を形成した後に、ドーパント不純物の注入およびドーパント活性化熱処理により、ゲート64、ソースおよびドレイン65を形成し、さらに層間酸化膜66と金属電極67とを形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上に真性の非晶質シリコン薄膜を蒸着する工程;前記真性の非晶質シリコン薄膜をパターンニングして、薄膜トランジスターの活性領域を形成する工程;前記活性領域の非晶質シリコン薄膜を高圧酸素雰囲気で熱処理して、多結晶シリコン膜およびゲート酸化膜を同時に形成する工程;前記酸化膜の上にゲート電極を形成した後、ドーパント不純物の注入およびドーパント活性化熱処理でゲート、ソースおよびドレインを形成する工程;および前記工程後に層間酸化膜と金属電極とを形成する工程からなることを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスターの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12

FI (6件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 F

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