特許

J-GLOBAL ID：200903046212522878

有機EL用薄膜製造装置および方法

発明者： 森田 達夫
出願人/特許権者： 森田 達夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-402147
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163082
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ITO表面を酸素ラジカルで清浄化すること、および保護膜としてシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜をリモートプラズマCVD法で形成すること、および金属Mgを酸素ラジカルで酸化し、保護膜としてのMgO膜を形成することを目的とする。【解決手段】 ガラス基板入出用ロードロック室2個11,14、ITO表面処理用リモートプラズマ室2、ITOスパッタ蒸着室3、ホール注入層蒸着室4、ホール輸送層蒸着室5、赤色発光層蒸着室6、緑色発光層蒸着室7、青色発光層蒸着室8、陰電極蒸着室2個、SiN層形成用リモートプラズマCVD室11、Mg蒸着室12、Mg酸化およびSiO2層形成用リモートプラズマCVD室13、を具備した有機EL用連続成膜装置。

請求項（抜粋）：

ホール輸送層、ホール注入層、発光層、電子輸送層、電子注入層およびカソード電極層を形成し、さらに封止を真空中で連続して行う有機EL用製造プロセスにおいて用いられるべく、リモートプラズマ発生部を有するCVD機能を、マルチチャンバー方式もしくはインライン方式において具備してなることを特徴とする有機EL製造装置。

IPC (5件)：

H05B 33/10 ,  C23C 16/452 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28

FI (5件)：

H05B 33/10 ,  C23C 16/452 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28

Fターム (23件)：

3K007AB04 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030KA01 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030LA18