特許
J-GLOBAL ID：200903046212603525
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039957
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243410
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】半導体装置のパッケージ強度を高め、パッケージボディ厚1.3mm以下の薄型化を実現する。【構成】紫外線消去型半導体素子106を搭載するベースを平板形状の高純度アルミナベース102を用いてベース強度を向上させている。また、高純度アルミナベース102の封止面に溝109を設けて接合強度を向上させている。高純度アルミナベース102と低融点ガラス104間に高融点ガラス105を設けても強固な結合が得られる。また、従来より結晶を微細化した透光アルミナキャップ101を用い、キャップの高強度化を計った。以上の構成により、気密試験のヘリウム加圧時に高応力が発生する部分の高強度化を行ない、パッケージボディ厚1.3mm以下の表面実装型の半導体装置を実現する。
請求項（抜粋）：
半導体素子を搭載するベースと、前記半導体素子を覆うように前記ベースに対して装着されたキャップと、前記ベースと前記キャップとの間に挾持されて外部に延長し、かつ前記半導体素子に電気的に接続されたリードとを有し、前記キャップと前記リードと前記ベースとを低融点ガラスで一体に気密封止した構造を持つ半導体装置において、前記ベースが0.5mm以下の高純度アルミナで形成され、前記キャップが0.4mm以下の透光アルミナで形成され、かつ前記リードがガルウィング形状に形成され、パッケージボディ厚が1.3mm以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/02
, H01L 23/08
, H01L 23/50
