特許
J-GLOBAL ID：200903046213065870

III-V族窒化物半導体結晶の製造方法

発明者：
大島 祐一

大島 祐一 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-112767
公開番号（公開出願番号）：特開2006-290671
出願日： 2005年04月08日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 極めて転位密度の低い、これまでにない高品質なIII-V族窒化物系半導体結晶の製造方法を提供することにある。【解決手段】 工程1として、第一の半導体結晶基板1を準備し、工程2として、前記第一の半導体結晶基板上に、第一の結晶軸方向に第一のIII-V族窒化物系半導体結晶2を第一の厚さまで成長させ、工程3として、前記第一のIII-V族窒化物系半導体結晶2を、その内部に存在する最も密度の高い貫通転位の伝播方向に対して平行な面3で切断し、工程4として、前記切断面上に第二のIII-V族窒化物系半導体結晶5を第二の厚さまで成長させ、前記第二のIII-V族窒化物系半導体結晶5を目的のIII-V族窒化物系半導体結晶とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
工程1として、第一の半導体結晶基板を準備し、 工程2として、前記第一の半導体結晶基板上に、第一の結晶軸方向に第一のIII-V族窒化物系半導体結晶を第一の厚さまで成長させ、 工程3として、前記第一のIII-V族窒化物系半導体結晶を、その内部に存在する最も密度の高い貫通転位の伝播方向に対して平行な面で切断し、 工程4として、前記第一のIII-V族窒化物系半導体結晶の前記切断面上に第二のIII-V族窒化物系半導体結晶を第二の厚さまで成長させ、 前記第二のIII-V族窒化物系半導体結晶を目的のIII-V族窒化物系半導体結晶とすることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体結晶の製造方法。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/04 ,  C30B 25/18 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205
Fターム (33件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077EF02 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA06 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC12 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045GH01 ,  5F045GH08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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