特許
J-GLOBAL ID：200903046215139374
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178429
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074355
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置が微細化されても信頼性の高い半導体装置を提供する為の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に配線として使用する第1の導電材料が埋め込まれた絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記第1の導電材料まで達しない配線溝を形成する工程と、前記配線溝の内部及び前記絶縁膜の上面に塗布型絶縁膜を形成する塗布型絶縁膜形成工程と、前記塗布型絶縁膜及び前記絶縁膜の一部を除去する事により、前記第1の導電材料まで達するコンタクト孔を形成する工程と、残存した前記絶縁膜を剥離する工程と、前記コンタクト孔及び前記配線溝内に配線として使用する第2の導電材料を埋め込む為の工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に配線として使用する第1の導電材料が埋め込まれた絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に、前記第1の導電材料まで達しない配線溝を形成する工程と、前記配線溝の内部及び前記絶縁膜の上面に塗布型絶縁膜を形成する塗布型絶縁膜形成工程と、前記塗布型絶縁膜及び前記絶縁膜の一部を除去する事により、前記第1の導電材料まで達するコンタクト孔を形成する工程と、残存した前記塗布型絶縁膜を剥離する工程と、前記コンタクト孔及び前記配線溝内に、配線として使用する第2の導電材料を埋め込む工程と、を有する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
H01L 21/90 A
, H01L 21/302 J
