特許

J-GLOBAL ID：200903046220103604

高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法

発明者： 石川 修 ,  前田 昌宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153934
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070159
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 部品点数およびサイズが低減され、かつ製造の自動化が容易な高周波モジュールを提供する。【解決手段】 第1主面上に第1金属膜を、第1主面に対向する第2主面上に第2金属膜を有する絶縁基板と、半導体素子と、を備えた高周波モジュールであって、半導体素子は、第2金属膜と熱的かつ電気的に結合されており、第2金属膜の厚さは、第1金属膜の厚さよりも大きい。

請求項（抜粋）：

第1主面上に第1金属膜を、該第1主面に対向する第2主面上に第2金属膜を有する絶縁基板と、半導体素子と、を備えた高周波モジュールであって、該半導体素子は、該第2金属膜と熱的かつ電気的に結合されており、該第2金属膜の厚さは、該第1金属膜の厚さよりも大きい高周波モジュール。

IPC (3件)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 21/60 321 X ,  H01L 25/04 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-193462
  
• 特開平4-056142
  
• 特開昭53-108280
  
• 特開昭62-011241