特許

J-GLOBAL ID：200903046220297220

結晶性半導体膜およびその形成方法、並びに半導体装置およびその製造方法

発明者： 福山 恵一 ,  前川 真司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-284523
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119902
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】単純なプロセスにより結晶性半導体膜を形成する。【解決手段】絶縁基板1上に半導体膜3を形成する工程と、透光性絶縁膜4をキャップ領域完全溶融エネルギーがベア領域完全溶融エネルギーよりも大きくなるような膜厚にて形成する工程と、ベア領域完全溶融エネルギーよりも大きくキャップ領域溶融エネルギーよりも小さいエネルギーに設定された第1レーザー光を照射する工程と、半導体膜キャップ領域3aに存在する結晶核を基にして、半導体膜ベア領域3bを結晶化させる工程と、エネルギービーム7を照射して透光性絶縁膜4を加熱しながら、ベア領域溶融エネルギーよりも小さいエネルギーに設定された第2レーザー光6を照射する工程と、半導体膜ベア領域3bに存在する結晶核を基にして、半導体膜キャップ領域3aを結晶化させる工程と、透光性絶縁膜4を半導体膜3上から除去する工程とを包含する。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

絶縁基板上または基板上に設けられた絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、 該半導体膜上に、それぞれが等しい所定の膜厚の複数の透光性絶縁膜を、それぞれ一定の間隔を空けてストライプ状に形成する工程と、 該透光性絶縁膜によって覆われない半導体膜ベア領域を完全溶融させ、該透光性絶縁膜によって覆われる半導体膜キャップ領域を完全溶融させないように、第1レーザー光を該透光性絶縁膜側から該半導体膜へ照射する第1照射工程と、 該半導体膜キャップ領域に存在する結晶核を基にして、完全溶融した該半導体膜ベア領域を結晶化させる第1結晶化工程と、 該第1結晶化工程の後で、該透光性絶縁膜を加熱しながら、該半導体膜キャップ領域を完全溶融させ、該半導体膜ベア領域を完全溶融させないように、第2レーザー光を該透光性絶縁膜側から該半導体膜へ照射する第2照射工程と、 該半導体膜ベア領域に存在する結晶核を基にして、完全溶融した該半導体膜キャップ領域を結晶化させる第2結晶化工程と、 該透光性絶縁膜を該半導体膜上から除去する工程とを包含する結晶性半導体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (2件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 627G

Fターム (32件)：

5F052AA02 ,  5F052BA15 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA01 ,  5F052EA07 ,  5F052FA19 ,  5F052GB03 ,  5F052GB08 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP35 ,  5F110PP36