特許
J-GLOBAL ID：200903046223040395
磁気記録媒体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-151363
公開番号（公開出願番号）：特開平10-003663
出願日： 1996年06月12日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】 保磁力が高く、且つ、ディスクの円周方向の保磁力分布が均一である良好な磁気特性を備えたフレキシブルな薄膜型磁気記録媒体を得る。【解決手段】 搬送支持される厚さ10μm〜200μmの連続ウェブW上に、非磁性下地層をスパッタ成膜した後、前記非磁性下地層上に面内磁気異方性を有する磁性層をスパッタ成膜して成る磁気記録媒体の製造方法において、真空中を搬送される前記ウェブWは、0.6×Tl≦Tv≦Tl(但し、Tlは非磁性支持体の使用可能温度)の範囲の支持体処理温度(Tv)で加熱処理された後、0.5×Tl≦Tu≦Tlの範囲の支持体温度(Tu)で加熱した状態で前記非磁性下地層がスパッタ成膜されると共に、前記非磁性下地層のスパッタ成膜に連続して、前記ウェブWが0.4×Tl≦Tm≦Tlの範囲の支持体温度(Tm)で加熱した状態で前記磁性層がスパッタ成膜される。
請求項（抜粋）：
搬送支持される厚さ10μm〜200μmの非磁性支持体よりなる連続ウェブ上に、非磁性下地層をスパッタ成膜した後、前記非磁性下地層上に面内磁気異方性を有する磁性層をスパッタ成膜して成る磁気記録媒体の製造方法において、真空中を搬送される前記ウェブは、0.6×Tl≦Tv≦Tl(但し、Tlは非磁性支持体の使用可能温度)の範囲の支持体処理温度(Tv)で加熱処理された後、0.5×Tl≦Tu≦Tlの範囲の支持体温度(Tu)で加熱した状態で前記非磁性下地層がスパッタ成膜されると共に、前記非磁性下地層のスパッタ成膜に連続して、前記ウェブが0.4×Tl≦Tm≦Tlの範囲の支持体温度(Tm)で加熱した状態で前記磁性層がスパッタ成膜されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
IPC (3件)：
G11B 5/85
, C23C 14/34
, C23C 14/56
G11B 5/85 C
, C23C 14/34 P
, C23C 14/56 H
