特許

J-GLOBAL ID：200903046227947859

ナノ構造体、電子デバイス、及びその製造方法

発明者： 田 透 ,  福谷 和彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-363128
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193523
出願日： 2002年12月13日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】Al主成分とするシリンダーを(Si,Ge)のマトリックス中に規則配列させる。【解決手段】Alを主成分とした複数のシリンダー13と、複数のシリンダーを取り囲むSi又は/及びGeを主成分としたマトリックス領域12とを有する混合膜状のナノ構造体であって、混合膜11はSi又は/及びGeの総量が20atomic%以上70atomic%以下の割合で含まれており、シリンダー13は規則配列しており、シリンダー13の径が1nm以上30nm以下であり、且つシリンダー13どうしの間隔が30nm以下である【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Alを主成分とした複数のシリンダーと、前記複数のシリンダーを取り囲むSi又は/及びGeを主成分としたマトリックス領域とを有する混合膜状のナノ構造体であって、 前記混合膜はSi又は/及びGeの総量が20atomic%以上70atomic%以下の割合で含まれており、前記シリンダーは規則配列しており、前記シリンダーの径が1nm以上30nm以下であり、且つ前記シリンダーどうしの間隔が30nm以下であるナノ構造体。

IPC (9件)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

FI (7件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L39/22 A ,  H01L39/24 J ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (12件)：

4M113AA03 ,  4M113AA13 ,  4M113AA24 ,  4M113AD36 ,  4M113BA06 ,  4M113CA12 ,  5F083EP17 ,  5F083FZ01 ,  5F083JA36 ,  5F083PR22 ,  5F101BA54 ,  5F101BD02