特許

J-GLOBAL ID：200903046230050037

シリコン系薄膜太陽電池

発明者： 澤田 徹 ,  小井 洋平 ,  佐々木 敏明 ,  吉見 雅士 ,  後藤 雅博 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 株式会社カネカ
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004010248
公開番号（公開出願番号）：WO2005-011002
出願日： 2004年07月12日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

本発明によれば、シリコン系低屈折率層と薄いシリコン系界面層を、光入射側から見て光電変換層の後方に順次形成することにより、十分な光閉じ込め効果を発揮し、かつ直列抵抗を小さく保つことが出来、高効率かつ低コストでシリコン系薄膜太陽電池を提供することができる。 前記シリコン系低屈折率層は、波長600nmにおける屈折率が2.5以下で、かつ厚さが300Å以上であることが好ましく、シリコンオキサイドを代表とする、シリコンと酸素等の元素から成る合金層であることが好ましい。 また、前記薄いシリコン系界面層は、シリコンを主成分とする導電型層であり、厚さが150Å以下で、その層中に結晶質シリコン成分を含むことが好ましい。

請求項（抜粋）：

光入射側から見て光電変換層の後方に導電型シリコン系低屈折率層、シリコン系界面層が順に配置されていることを特徴とするシリコン系薄膜太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/042

FI (1件)：

H01L31/04 R

Fターム (7件)：

5F051DA04 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA13 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051GA03