特許
J-GLOBAL ID：200903046231209200
半導体結合超伝導素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150453
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343756
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】優れた超伝導電流特性およびその制御特性に優れた半導体結合超伝導3端子素子を提供する。【構成】半導体中の2次元電子ガスで結合した半導体結合超伝導3端子素子において、半導体として高キャリア濃度、高移動度を有し、かつトランスコンダクタンスgmの大きいInAlAs/InGaAs(In組成が80原子%以上)系のHEMTを用い、加えてInGaAsよりなるチャネル層と超伝導電極間のショットキーバリアを無くしオーミック接触を可能とした素子構造とする。【効果】高キャリア濃度、高移動度で、 かつ高いトランスコンダクタンスgmが得られるので、これを用いて構成した半導体結合超伝導素子は、優れた超電流特性およびその制御特性を実現することができる。
請求項（抜粋）：
半導体中に形成される2次元電子ガスと、該2次元電子ガスとオーミック接触する2つの超伝導電極と、該2つの超伝導電極間の上記半導体の2次元電子ガス中に流れる超伝導電流を制御するゲート電極とを少なくとも備えた半導体結合超伝導素子において、上記半導体は、基板側から、InAlAsよりなるバッフア層と、InGaAsよりなるチャネル層と、InAlAsよりなるスペーサ層と、InAlAsよりなるキャリア供給層と、InAlAsよりなるゲートコンタクト層を順次積層して構成したことを特徴とする半導体結合超伝導素子。
引用特許：
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