特許
J-GLOBAL ID：200903046231513740
無電解金めっき方法及びその方法を用いた埋め込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140322
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335631
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】 大きなめっき速度を有する無電解金めっき法を提供し、さらには、マイクロローディング効果を抑制し、かつ大きな埋め込み速度で、無電解金めっき法により微細トレンチおよび微細ホールを埋め込む方法を提供することにある。【構成】 第1層配線上にPt層6を堆積し、その上に厚さ20nm以下の薄いAu層7をPt層6が部分的に露出するように堆積する。層間絶縁膜9を堆積してスルーホール10を形成した後、Au層7を触媒層として無電解めっき法によりスルーホール10をAuめっき層11で埋め込む。触媒活性の大きな触媒層により、大きなめっき速度が得られ、マイクロローディング効果が抑制される。
請求項（抜粋）：
基板上に白金層を堆積する工程と、前記白金層上に金層を前記白金層が部分的に露出するように薄く堆積する工程と、前記金層を触媒層として無電解めっき法により金めっき層を堆積する工程を含むことを特徴とする無電解金めっき方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/288
H01L 21/90 A
, H01L 21/288 Z
