単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川瀬茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-230925
公開番号（公開出願番号）：特開2003-165799
出願日： 2002年08月08日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：

【要約】【課題】ファセットを形成し維持しながら窒化ガリウムを成長させるファセット成長法では、ファセット面からなるピット中央部から転位がモヤモヤと広がり、面状欠陥が放射状に生成されるという欠点があった。またどこにピットができるのか制御不可能であったのでその上にデバイスを設計することができなかった。それらの難点を克服すること。【解決手段】下地基板の上に規則正しく種パターンを設けてその上にファセットよりなるピットを形成し維持しながらGaNをファセット成長させファセット面よりなるピット底部に閉鎖欠陥集合領域Hを形成しそこへ転位を集めてその周囲の単結晶低転位随伴領域Zと単結晶低転位余領域Yを低転位化する。閉鎖欠陥集合領域Hは閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム基板であって、基板表面において、基板面を貫通して伸びる多数の欠陥の集合した芯Sを内部に含み結晶粒界Kにより区別される閉じた領域である閉鎖欠陥集合領域Hと、閉鎖欠陥集合領域Hに随伴しその周囲に形成された単結晶低転位随伴領域Zと、単結晶低転位随伴領域Zの外部に存在し同一の結晶方位を有する単結晶低転位余領域Yとを有することを特徴とする単結晶窒化ガリウム基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (43件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077FG11 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4G077TK11 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA08 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD14 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA61 , 5F073CA02 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-273882 出願人：住友電気工業株式会社

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