特許
J-GLOBAL ID：200903046236657162
薄膜シリコンに基づいた光電池の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-502443
公開番号（公開出願番号）：特表2008-535210
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
本発明は薄膜シリコンに基づいた光電池の製造方法に関する。本発明は、支持体(10)上に、P型(またはN型)ドーピングされた少なくとも一つの第一アモルファスシリコン層(13)と、N型(またはP型)ドーピングされた第二アモルファスシリコン層(14)とを堆積させることによってヘテロ接合を提供することと、パルス化電子ビームによってシリコンを結晶化させる方法を用いて少なくとも一つの第一層(13)を少なくとも部分的に結晶化させることとを特徴とする。
請求項（抜粋）：
支持体(10)上に、P型またはN型ドーピングされた少なくとも一つの第一アモルファスシリコン層(13)と、N型またはP型ドーピングされた第二アモルファスシリコン層(14)とを堆積させることによってヘテロ接合を提供することを特徴とする、薄膜シリコンに基づいた光電池の製造方法であり、パルス化電子ビームによってシリコンを結晶化させる方法を用いて、少なくとも一つの前記第一アモルファスシリコン層(13)を少なくとも部分的に結晶化させることを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F051AA05
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051FA04
, 5F051GA14
, 5F051HA03
