特許

J-GLOBAL ID：200903046239381001

半導体装置

発明者： 山中 英二
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155275
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330497
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 素子の厚みを大幅に増加することなくしないで、耐電圧特性を改善した半導体装置を提供すること。【解決手段】 低不純物濃度の半導体層2に、該半導体層2の厚みより浅い溝Aを形成し、該浅い溝Aの外周部に、前記半導体層2の厚みと等しいか、それ以上の深さの深い溝Bを形成し、前記浅い溝Aの底部は、前記半導体層2とは反対の導電型の高不純物濃度埋込み層4が形成され、該埋込み層4は、前記の浅い溝Aの外周方向に向かって均一な厚みで形成されている半導体装置である。

請求項（抜粋）：

半導体PN接合に逆方向電圧を印加することにより、耐電圧が決定付けられる半導体装置に於いて、低不純物濃度の半導体層に、該半導体層の厚みより浅い溝を形成し、該浅い溝の外周部に、前記半導体層の厚みと等しいか、それ以上の深さの溝を形成し、前記浅い溝の底部は、前記半導体層とは反対の導電型の高不純物濃度埋込み層が形成され、該埋込み層は、前記の浅い溝の外周方向に向かって均一な厚みで形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74

FI (4件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/74 B