特許

J-GLOBAL ID：200903046242485845

貼り合わせSOI基板の製造方法

発明者： 中嶋 定夫 ,  片山 達彦
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社 ,  エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 村上 友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-051818
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222715
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 膜厚の薄い表面酸化膜を介して貼り合わせるSOI基板の製造において、貼り合わせ界面に前記表面酸化膜厚より大きなパーティクルが付着した場合でも接着強度を低下させず、かつ、ボイドを低減させ、また、基板の反りと、貼り合わせ界面準位密度とをともに低減させることができるようにする。【構成】 表面酸化膜のない表面活性シリコン層側単結晶シリコン基板2と、厚さ100nm以下の表面酸化膜3を有するベース側単結晶シリコン基板1とを貼り合わせ、アニールにより貼り合わせをを完了する。次に、表面活性シリコン層側単結晶シリコン基板2の表面を研磨し、厚さ1.0μm程度の活性層4を形成する。前記SOI基板6を、1%を超えるO2 ガス雰囲気中で1150°C以上、基板の融点未満の温度で数時間酸化処理する。埋め込み酸化膜5の上面に埋め込み酸化膜増加分7が形成されるので、貼り合わせ界面のボイドが低減するとともに、接着強度はバルクと同等になる。また、貼り合わせ界面準位密度をバルクと同等の値まで低下させることができる。

請求項（抜粋）：

表面酸化単結晶シリコン基板と単結晶シリコン基板とを貼り合わせ接合することにより埋め込み酸化膜を設け、前記単結晶シリコン基板側を研磨してこれを表面活性シリコン層とするSOI基板を形成し、このSOI基板を高温酸素雰囲気中で酸化処理を行うことにより埋め込み酸化膜を成長させ、表面活性シリコン層と埋め込み酸化膜との界面を貼り合わせ面から移動形成することを特徴とする貼り合わせSOI基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-129605   出願人：株式会社東芝