特許
J-GLOBAL ID：200903046247524768
電界発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122726
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307248
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 各構成層の段切れのない平坦な構造の電界発光素子を提供する。【解決手段】 ガラス基板11上の所定の画素位置に青色変換膜13を形成し、その後、平坦化膜14を形成しこの平坦化膜14の所定の画素位置に開口部を形成する。この開口部内に赤色変換膜15Aを形成することにより、赤色変換膜15Aが平坦化膜14から突出する長さを抑えることができ、その上に形成される保護膜17で平坦に覆うことができる。このように平坦であるため、前面電極18A、有機EL層20、背面電極21を成膜する際に段切れを起こすことなく形成することができる。
請求項（抜粋）：
第1色変換膜及び第2色変換膜を有する電界発光素子の製造方法において、透明基板上の所定位置に、第1色変換膜をパターン形成する工程と、前記透明基板上に、所定の箇所に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記開口部に、上部が露出するように第2色変換膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする電界発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H05B 33/12
, H05B 33/22
H05B 33/10
, H05B 33/12 E
, H05B 33/22 Z
