特許

J-GLOBAL ID：200903046248449611

半導体装置の製造方法

発明者： 田中 英祐
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064649
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267476
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 多層配線構造を有する半導体装置において、塗布絶縁膜を使用せずに界面との密着性のコントロールが容易な半導体装置の製造方法を得る。【構成】 半導体基板1上に形成された下地絶縁膜2を介して第1の配線3を形成し、この第1の配線3上に第1層配線間絶縁膜41としてシリコン窒化膜を形成し、この上に第2層配線間絶縁膜42としてTEOS+O2 系プラズマ酸化膜を形成した後、このTEOS+O2 系プラズマ酸化膜の凸部を全て除去する。その後、第3層配線間絶縁膜43としてTEOS+O2 系酸化膜を形成し、この上に第2の配線5を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下地絶縁膜を介して第1の配線を形成する工程と、前記第1の配線をパターニングした後、配線間絶縁膜を構成する第1層目のシリコン窒化膜をプラズマCVD法で形成する工程と、前記シリコン窒化膜上に前記配線間絶縁膜を構成する第2層目のシリコン酸化膜を熱CVD法またはプラズマCVD法で形成する工程と、前記第2層目のシリコン酸化膜の厚み分を前記第1層目のシリコン窒化膜との選択比の大きいエッチング条件でエッチングする工程と、次いで前記配線間絶縁膜を構成する第3層目のシリコン酸化膜をプラズマCVD法で形成する工程と、前記第3層目のシリコン酸化膜上に第2の配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302