特許

J-GLOBAL ID：200903046258951633

接続孔の形成方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259961
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107142
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィの解像限界より小さい開口を有するマスク・パターンを介してコンタクトホール・エッチングを行う場合の、該マスク・パターンの後退を抑制し、形状安定性と寸法安定性を向上させる。【解決手段】 層間絶縁膜8上のポリシリコン膜にフォトリソグラフィを経て開口9hを形成し、この開口9h内に別のポリシリコン膜の全面堆積およびエッチバックを経てマスク用サイドウォールを形成する。これらのポリシリコン膜の膜厚を化学機械研磨により減少させ、得られたマスク用ポリシリコン膜9ptと断面形状が矩形に近いマスク用サイドウォール11stとをマスク・パターンとして用いる。パターン・エッジが垂直壁に近付くことで、プラズマ中から該エッジへのイオン入射確率が減少し、イオン・スパッタ作用に起因するエッジの後退が防止される。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィの解像限界より小さい寸法の開口を有するマスク・パターンを用いてその下層側の絶縁膜をドライエッチングすることにより微細な接続孔を形成する接続孔の形成方法であって、前記マスク・パターンのエッジを前記絶縁膜の表面に対して略垂直に加工することを特徴とする接続孔の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 J