特許
J-GLOBAL ID：200903046260781079
駆動型光部品の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054042
公開番号（公開出願番号）：特開平7-261046
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 光導波路の切り換え機能を有する光部品の製造方法を提供する。【構成】 Si基板11上にポーラスSiO2 層15、Si層18、下層クラッド層14b及び上層クラッド層14cを形成する。次に、上層クラッド層14c上に、導波路パターン14aに沿うレジストパターン19と、間隙部21を空けて配置されるレジストパターン20を形成する。レジストパターン20はレジストパターン19に比べ大なる縦横幅を有する。次に、レジストパターン19、20をマスクとして異方性エッチングを施し、空隙部21の直下の上層クラッド層14cなどを除去する。次に、ポーラスSiO2 層15に対して等方性エッチングを施し、固定電極12下部にポーラスSiO2 層15を一部残し、可動電極13下部のポーラスSiO2 層15をすべて除去する。
請求項（抜粋）：
基板上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に、光信号が伝搬する導波路パターンを備えるクラッド層を形成する工程と、前記クラッド層上に、前記導波路パターンに沿って延在する第1電極パターンと、この第1電極パターンとの間に所定の間隙部を設けて配置されこの第1電極パターンの幅に比べて大なる縦横幅を有する第2電極パターンとを形成する工程と、前記第1電極パターン及び第2電極パターンをマスクとして異方性エッチングを施し、前記空隙部の直下に位置する前記クラッド層を除去する工程と、前記下地層に対して等方性エッチングを施し、前記第2電極パターン下部に前記下地層を一部残し、前記第1電極パターン下部の前記下地層をすべて除去する工程と、を備える駆動型光部品の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
