有機半導体装置及びそれを有する表示素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-027883
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241528
出願日： 2003年02月05日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】ソース・ドレイン間電流のオン/オフ比を大きくすることができると共に、低いゲート電圧で動作させることができる有機半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の有機半導体装置10は、電気絶縁性基板1、第三の電極層(ゲート電極)2、電気絶縁層3、同一面に間隔を設けて配置された第一の電極層(ソース電極)4及び第二の電極層(ドレイン電極)5、並びに、前記第一の電極層4及び第二の電極層5の間隙を埋めると共にそれらの上面を覆うように設けた有機半導体層6を順次有している。前記電気絶縁層3は、(A)体積抵抗率が106 Ωcmよりも大きい電気絶縁材料で構成される層と、(B)比誘電率が4以上の電気絶縁材料で構成される層とを有し、そして、前記(A)及び(B)の層の少なくとも一方は、有機の電気絶縁材料で構成されている。3aは、有機の電気絶縁材料で構成されている層であるが、3bは、有機の電気絶縁材料で構成されている層であっても、また、無機の電気絶縁材料で構成されている層であってもかまわない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電気絶縁性基板、第三の電極層、電気絶縁層、同一面に間隔を設けて配置された第一の電極層及び第二の電極層、並びに、前記第一の電極層及び第二の電極層の間隙を埋めると共にそれらの上面を覆うように設けた有機半導体層を順次有する有機半導体装置において、前記電気絶縁層が、(A)体積抵抗率が106 Ωcmよりも大きい電気絶縁材料で構成される層と、(B)比誘電率が4以上の電気絶縁材料で構成される層とを有し、そして、前記(A)及び(B)の層の少なくとも一方が有機の電気絶縁材料で構成されていることを特徴とする有機半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/00

FI (7件)：

H01L29/78 618B , G02F1/1368 , H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , H01L29/28

Fターム (30件)：

2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092KA13 , 2H092NA22 , 2H092NA26 , 2H092PA01 , 5F110AA05 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (10件)

トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-300993 出願人：株式会社東芝
特開平1-229229
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-341347 出願人：株式会社日立製作所

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