特許
J-GLOBAL ID：200903046267062752
化合物半導体のパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212856
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036654
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 汚染されることなく短時間で被加工物半導体表面にグレーティングパターンを形成する。【構成】 清浄な化合物半導体基板101の表面をエッチングガス103に接触させ、同時に半導体表面に所定のグレーティングパターンを形成するようにしたレーザ干渉光104を照射することで、光照射部分のみを選択的にエッチングする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板をエッチングガス雰囲気中におき、同時に該半導体の表面に所定のグレーティングパターンを形成するようにレーザ干渉光を照射して、半導体の表面を選択的にエッチングすることを特徴とする化合物半導体のパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/20
, H01L 21/268
