特許

J-GLOBAL ID：200903046267576845

半導体装置に用いられる配線層およびその製造方法、ならびにそのような配線層を用いた半導体装置の製造方法

発明者： 竹内 信善
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060395
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252001
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】エッチングの際に導体部分を保護可能でかつ比較的薄いコーティング層を有し、簡略な工程で形成することができる、半導体装置に用いられる配線層およびその製造方法、ならびにこのような配線層を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】配線層11は、AlまたはAl合金からなる導体層12と、その上に設けられたAlNコーティング層13とを具備する。このAlNコーティング層13は、導体層12の保護機能、反射防止機能およびエッチングストッパー機能を有する。

請求項（抜粋）：

AlまたはAl合金からなる導体層と、その上に設けられたAlNコーティング層とを具備することを特徴とする、半導体装置に用いられる配線層。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (8件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/302 G ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 A