特許
J-GLOBAL ID：200903046267728882
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-161098
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018053
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】サファイア基板上に、界面平坦性および表面モフォロジーが優れた窒化物系化合物系半導体層を形成して発光特性が良好な発光ダイオードもしくは半導体レーザ素子から成る発光素子を実現する。【構成】サファイア基板1上に窒化物系化合物半導体層を結晶成長するに際し、予めサファイア基板表層部にアモルファス窒化層2を形成してから、低温にてGaNバッファ層3を成長し高温にて素子構成に必要な窒化物系化合物半導体層を成長する。このアモルファス窒化層2は、例えば基板1を1000°CのNH3ガス雰囲気に晒すことによって形成することができる。アモルファス窒化層2の膜厚は、10nm以下、好ましくは1〜8nmとする。これによって、表面が平坦で結晶性の良好な窒化物系化合物半導体が形成でき、発光特性の良好な発光ダイオードもしくは半導体レーザ素子が実現する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に、GaN系バッファ層を介して窒化物系化合物半導体層を設けた構造の窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記サファイア基板表層部に基板のアモルファス窒化層を形成し、前記アモルファス窒化層上に前記GaN系バッファ層を形成して成る窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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