特許
J-GLOBAL ID：200903046269148638
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349037
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189509
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 ウェハの縁垂れを防ぎ、歩留りの向上を図る。【解決手段】 ウェハ21の主表面側において、ウェハ21の縁部には、例えば、ウェハ21の一部から構成される凸部21 ́が設けられている。この凸部21 ́の高さは、CMP終了後の絶縁膜24の高さと同じ程度に設定され、その幅は、ウェハ21の縁からチップ領域の手前までの幅よりも短く設定される。ウェハ21は、ウェハキャリア14に取り付けられ、研磨パッド12及びスラリ(研磨溶剤)13を用いてCMPが実行される。CMP時、ウェハ21の縁部に生じる局所的な高荷重は、凸部21 ́にのみかかるため、大きな縁垂れは発生しない。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成される面の縁に沿ってリング状の凸部を有していることを特徴とする半導体ウェハ。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
H01L 21/304 321 S
, H01L 21/304 321 M
