特許
J-GLOBAL ID：200903046276320470
窒化物半導体発光ダイオード素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-356835
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124411
出願日： 2006年12月29日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】光取出し効率を改善することにより発光出力を向上させた窒化物LEDを提供すること。【解決手段】窒化物半導体発光ダイオード素子1は、底面および上面を有し、内部に発光層12bを含む窒化物半導体層12を備え、窒化物半導体層12の底面側には金属からなる保持基板11が接合されている。窒化物半導体層12の底面には、発光層12bで生じた光を上面側に反射する光反射凹部A1が形成されている。窒化物半導体発光ダイオード素子1では、発光層12bで発生した光のうち、窒化物半導体層12内を層方向に伝播する光が、光反射凹部A1により反射されて進行方向を変えるために、窒化物半導体層12の上面に臨界角以内で入射する光の割合が大きくなる。よって、従来の窒化物半導体発光ダイオード素子に比べて、光取出し効率が改善される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
底面および上面を有し、内部に発光層を含む窒化物半導体層を備え、該窒化物半導体層の底面側に金属または半導体からなる保持基板が接合された窒化物半導体発光ダイオード素子であって、
前記窒化物半導体層の底面には、前記発光層で生じた光を上面側に反射する光反射凹部が形成されていることを特徴とする、窒化物半導体発光ダイオード素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB15
