ウェファ基板のキャビティを含む構造とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-519911
公開番号（公開出願番号）：特表平9-508493
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】キャビティを含む構造と、該構造を製造する方法が開示される。基板(2)と、非導電性材料で作られ、基板(2)の1面(1)に固定された薄い表面ウェファ(12)とを有する構造にして、基板(2)が前記基板の1面(1)と同じ面内にあるキャビティ(10)を有する構造を製造する方法において、ウェファを所定位置に適切に保持するため、キャビティが、基板の表面において、表面ウェファの厚さの関数である少なくとも1次元の寸法を有するように、キャビティ(10)を基板(2)の1面(1)内にエッチングする段階と;非導電性材料のウェファ(12)を基板(2)の面(1)に結合させる段階と;薄い表面ウェファを作成するためウェファ(12)の厚さを減少させる段階とを有している。

請求項（抜粋）：

基板(2)と、非導電性材料から作られ、基板(2)の面(1)に接合された表面薄膜(16)とを有し、基板(2)が面(1)と同じ面にあるキャビティ(10)を有している構造を製造する方法にして、基板の面(1)にキャビティ(10)をエッチングする段階にして、該キャビティが基板の面に、表面膜を正しい位置に固定するために、表面膜の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している段階と、非導電性材料のウェファ(12)を基板(2)の面(1)に接合する段階と、ウェファ(12)を、表面薄膜を得るために薄くする段階とを有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , H01L 23/34 , H01L 23/473

FI (3件)：

H01L 21/02 B , H01L 23/34 A , H01L 23/46 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

空洞領域内蔵半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-350688 出願人：住友金属鉱山株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-246594 出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
特開平4-010536

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