特許

J-GLOBAL ID：200903046283868651

偏極電子線発生素子

発明者： 岸野 克巳 ,  加藤 俊宏
出願人/特許権者： 岸野 克巳 ,  大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280822
公開番号（公開出願番号）：特開平6-111714
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【構成】 励起レーザが照射されることにより偏極電子線を発生する第2半導体(ストレインドGaAs半導体)18の裏側に半導体多層膜反射鏡14を設け、その半導体多層膜反射鏡14と第2半導体18の表面19との間で励起レーザを多重反射させる。【効果】 第2半導体18の膜厚を厚くすることなく、その第2半導体18で吸収される光エネルギー量が増加するため、偏極率を損なうことなく量子効率が向上する。

請求項（抜粋）：

価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起レーザが入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子であって、前記半導体光電層の裏側に前記励起レーザを反射することにより前記表面との間で該励起レーザを多重反射させる反射鏡を有することを特徴とする偏極電子線発生素子。