特許

J-GLOBAL ID：200903046285493671

半導体装置の製造方法

発明者： 落合 昭彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174912
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022294
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 開孔の形成後に加熱処理を行うとともに、この加熱処理の工程の時点では、加熱により開孔を介して拡散する可能性のある拡散源を有する構造の半導体装置の製造においても、該拡散源からの拡散に伴う不都合が生じないようにした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 コンタクトホール等の開孔1を形成し、開孔の形成後、コンタクトアニール等の加熱処理を行うとともに、この加熱処理の工程の時点では、加熱処理により開孔を介して拡散しうる拡散源2(キャパシタの誘電体など)を有する構造の半導体装置の製造の際、上記加熱処理は、拡散防止の膜9を形成する等で開孔を充填10した状態で行う。

請求項（抜粋）：

開孔を形成する工程と、開孔の形成後加熱処理を行う工程を備えるとともに、この加熱処理の工程の時点では、加熱処理により開孔を介して拡散しうる拡散源を有する構造になっている半導体装置の製造方法において、上記加熱処理は、上記開孔を充填した状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/324 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/324 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651