特許

J-GLOBAL ID：200903046288256484

薄膜電場発光素子の製造方法

発明者： 辻 崇
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038765
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241857
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】基板側の電極の膜厚および抵抗値に影響を及ぼさない薄膜電場発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に少なくとも第1の電極2a、第1の絶縁層3a、発光層、第2の絶縁層3bおよび第2の電極2bが積層されてなり、第1の電極は外部リードとの接続のために露出された接続端子Tを有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の製造方法において、前記アニール時には前記接続端子は硫黄を透過させない材料のアニールマスクMにより被覆されており、前記アニール後にこのアニールマスクは第1電極を損傷することなく除去されることとする。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも第1の電極、第1の絶縁層、発光層、第2の絶縁層および第2の電極が積層されてなり、第1の電極は外部リードとの接続のために露出された接続端子を有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の製造方法において、前記アニール時には前記接続端子は硫黄を透過させない材料のアニールマスクにより被覆されており、前記アニール後にこのアニールマスクは第1電極を損傷することなく除去されることを特徴とする薄膜電場発光素子の製造方法。