特許

J-GLOBAL ID：200903046289028833

不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き換え方法並びにデータ書き換え及び読み出し方法

発明者： 大岸 毅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159609
公開番号（公開出願番号）：特開平11-353884
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】1つのブロック内におけるメモリ素子の閾値電圧間にばらつきが生じ難い、不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き換え方法を提供する。【解決手段】電気的書き換えが可能な複数のメモリ素子から構成されたブロックを複数有する不揮発性半導体メモリセルにおける各ブロック毎のデータ書き換え方法においては、(イ)ブロック内のメモリ素子の全てに対して、データ追加書き込みを行い、(ロ)次いで、ブロック内のメモリ素子の全てに対して、データ消去を行い、(ハ)その後、ブロック内の各メモリ素子に対して、データ書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

電気的書き換えが可能な複数のメモリ素子から構成されたブロックを複数有する不揮発性半導体メモリセルにおける各ブロック毎のデータ書き換え方法であって、(イ)ブロック内のメモリ素子の全てに対して、データ追加書き込みを行い、(ロ)次いで、ブロック内のメモリ素子の全てに対して、データ消去を行い、(ハ)その後、ブロック内の各メモリ素子に対して、データ書き込みを行うことを特徴とする不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き換え方法。

FI (3件)：

G11C 17/00 601 Q ,  G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 641