特許

J-GLOBAL ID：200903046290112244

太陽電池およびその製造方法

発明者： 山田 巧 ,  西岡 孝 ,  川上 剛司 ,  山田 武
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-226491
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070298
出願日： 1996年08月28日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】太陽電池の受光表面の光反射率を広い波長範囲にわたって低減させるための凹凸構造を、結晶成長後のエッチング工程を付加することなく作製すること。【解決手段】太陽電池作製のための単結晶基板として、基板面の方位が(100)面の方位とは異なる基板11を用い、それによって、表面に凹凸構造をもつ光透過層14を結晶成長させ、太陽電池を作製する。

請求項（抜粋）：

単結晶基板面上に、pn接合層、光透過層を順次結晶成長させてなる太陽電池において、前記pn接合層、前記光透過層が、(100)の方位と異なる方位の前記基板面上に結晶成長され、前記pn接合層の上面、前記光透過層の表面あるいは下面のうち、少なくとも前記光透過層の表面に凹凸構造を有することを特徴とする太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 31/04 F ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E