特許

J-GLOBAL ID：200903046291887290

成膜方法

発明者： 宮田 一智
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-088177
公開番号（公開出願番号）：特開2002-285329
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】 CAD方式又はDWDD方式の光磁気記録媒体など、各種の高密度記録媒体等の製造にあたって、その記録再生構成膜などの従来にない高い精度の組成制御を必要とする成膜体をスパッタリングで成膜する際に、ターゲット自体の組成のばらつきに左右されることなく、高精度で組成を制御を行い得る成膜方法を提供し、各種記録媒体の生産性、歩留りの向上をはかる。【解決手段】 同心円的に配置された3つ以上のターゲット1〜3から同時にスパッタリングして、目的とする組成を有する成膜体を形成する。上記3つ以上の各ターゲットの全部もしくは一部のターゲットに異なる給電がなされるようにして上記成膜体を形成する。

請求項（抜粋）：

同心円的に配置された3つ以上のターゲットから同時にスパッタリングして、目的とする組成を有する成膜体を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  G11B 11/105 511 ,  G11B 11/105 516 ,  G11B 11/105 ,  G11B 11/105 546

FI (6件)：

C23C 14/34 C ,  C23C 14/34 B ,  G11B 11/105 511 Q ,  G11B 11/105 516 F ,  G11B 11/105 516 K ,  G11B 11/105 546 B

Fターム (18件)：

4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA24 ,  4K029BA26 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BC06 ,  4K029BC07 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC04 ,  4K029DC12 ,  4K029DC16 ,  4K029EA02 ,  5D075GG03 ,  5D075GG12 ,  5D075GG16