特許

J-GLOBAL ID：200903046300626268

半導体製造方法

発明者： 堤 芳紹 ,  上田 新次郎 ,  川那部 隆夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-100344
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279471
出願日： 1987年05月19日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【課題】 真空ポンプに使われている油の吸込口側への逆拡散を抑え、処理室内を清浄な真空状態とし、これによって被排気系の油汚染を少なくすること。油回転ポンプなどの真空ポンプの吸込口側より微量のパージガスを処理室の圧力を0.1Torr以下に維持しつつパージし、油の逆拡散を抑えるようにした【解決手段】 真空ポンプを真空排気系とする半導体製造方法において、処理室を到達圧力に排気する過程時に微量のパージガスを前記処理室の圧力を0.1Torr以下に維持しつつ前記真空ポンプの上流側よりパージすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空ポンプを真空排気系とする半導体製造方法において、処理室を到達圧力に排気する過程時に微量のパージガスを前記処理室の圧力を0.1Torr以下に維持しつつ前記真空ポンプの上流側よりパージすることを特徴とする半導体製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  B01J 3/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  B01J 3/00 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-285924
  
• 特公昭61-028837