特許

J-GLOBAL ID：200903046301867340

薄膜コイルの製造方法

発明者： 松崎 一夫
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276301
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130568
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】基板の反り発生なしにコイル導体を形成し、さらにコイル導体を覆った絶縁膜の表面平坦化が実現できる薄膜コイルの製造方法を提供する。【構成】シリコン基板1の上に形成しためっき下地電極となる薄膜導体7に対し、該薄膜導体上に第1のフォトレジスト8を塗布した上で、ホットエッチングによりコイル導体の形成パターンに対応した選択めっきマスクを形成し、次に前記第1のフォトレジストをマスクとして薄膜導体が露出する部分に選択的に金属を電着してコイル導体10を形成し、さらに前記フォトレジストを取り除いた上で、コイル導体部以外の薄膜導体をエッチングして除去した後に、コイル導体を覆って基板上に絶縁層となる第2のフォトレジスト11を塗布し、さらに該フォトレジストに対して、コイル導体の上に凸状に盛り上がっている部分のみを選択的にフォトエッチングして表面を平坦に仕上げる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成しためっき下地電極となる薄膜導体に対し、該薄膜導体上に第1のフォトレジストを塗布した上で、コイル導体の形成パターンに対応した選択めっきマスクを形成する第1のフォトエッチング工程と、前記第1のフォトレジストをマスクとして薄膜導体が露出する部分に選択的に金属を電着するコイル導体形成工程と、前記第1のフォトレジストを取り除いた上で、コイル導体部以外の薄膜導体を除去するエッチング工程と、コイル導体を覆って基板上の全面に絶縁層としての第2のフォトレジストを被覆する塗布工程と、第2のフォトレジストに対して、コイル導体の上に凸状に盛り上がっている部分のみを選択的に除去して第2フォトレジストの表面を平坦化する第2のフォトエッチング工程とを含むことを特徴とする薄膜コイルの製造方法。

IPC (3件)：

H01F 41/04 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 導体パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-231687   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-128214
  
• 特開昭57-172519