特許
J-GLOBAL ID:200903046304277799

半導体製造方法および半導体製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-210013
公開番号(公開出願番号):特開平7-066168
出願日: 1993年08月25日
公開日(公表日): 1995年03月10日
要約:
【要約】【目的】 洗浄乾燥処理に際して半導体ウエハが異物によって汚染されるのを抑制する。【構成】 半導体集積回路装置の製造工程において、半導体ウエハを純水によって洗浄する洗浄工程(工程102a,工程102b)と、洗浄工程後の半導体ウエハをIPAガスの雰囲気中において回転させることにより乾燥する乾燥工程(工程103a,工程103b)とを連続して行う。
請求項(抜粋):
半導体集積回路装置の製造工程において、以下の工程を有することを特徴とする半導体製造方法。(a)半導体ウエハを純水によって洗浄する洗浄工程。(b)前記洗浄工程後の半導体ウエハをアルコールガスの雰囲気中において回転させることにより乾燥する乾燥工程。

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