特許

J-GLOBAL ID：200903046313661380

半導体装置およびその製造方法

発明者： 山本 哲浩 ,  阪下 靖之 ,  斉藤 彰
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322851
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181171
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の実装に必要な面積の小型化、薄型化ならびに半導体パッケージの外部電極端子間隔の微細化を抑え、機械的強度に問題のない外部端子形態を有した半導体装置を提供する。【構成】 半導体キャリア11に対して、半導体素子12をフリップチップ工法によりそのバンプ18に設けた導電性接着剤19により接合したものであり、半導体キャリア11と半導体素子12との間隙および半導体素子12の周辺、半導体キャリア11の開口部14は、エポキシ系の封止樹脂13により充填被覆された構成である。また半導体キャリア11が開口部14を有しており、開口部14によって、半導体キャリア11と半導体素子12との接合において、互いのせん断応力による半導体キャリア11のひずみを緩和し、半導体キャリア11と半導体素子12との接合ずれなどの不良を解消できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基体よりなる半導体キャリアと、前記半導体キャリアとバンプを介して接合された半導体素子と、前記半導体キャリアと半導体素子との間隙を封止している封止樹脂とよりなる半導体装置であって、前記半導体キャリアは、第1面に接合される半導体素子上の電極と対応した複数の配線電極と、前記第1面の複数の配線電極と内部引き回しされて接続されて底面に集積配列された外部端子とを有し、中央部に開口部を有した積層基体からなる半導体キャリアであって、前記半導体素子は前記半導体素子表面上の電極上にバンプが形成され、前記バンプが導電性接着剤によって前記半導体キャリアの第1面の複数の配線電極と接合された半導体素子であり、前記封止樹脂は前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間隙と、前記半導体素子の周辺部および前記開口部とを充填被覆している封止樹脂であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-001040   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開昭60-170944