特許
J-GLOBAL ID：200903046320441221
薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340602
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114135
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 真空蒸着法で金属または合金薄膜を形成する際、平滑な基板を用い、薄膜を適当な条件で形成することにより、薄膜表面に適当な凹凸を形成する。【構成】 基板表面に10nm以上の高さの突起が1mm2当り1x106個以下の密度で存在する基板1上に、構成する原子の基板への初期入射角φiが基板の法線から50 ゚以上となるようにし、基板温度を100°C以上とし、真空蒸着法で基板上に金属または合金薄膜2を形成する。
請求項（抜粋）：
基板表面に10nm以上の高さの突起を1mm2当り1x106個以下の密度で有し、100°C以上に保持された基板上に、薄膜の構成原子を50 ゚以上の初期入射角で堆積せしめることを特徴とする薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
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