特許
J-GLOBAL ID：200903046325499937
電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310990
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140422
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 高速動作が可能でしかも大きなオン電流/オフ電流比を得ることができる薄膜トランジスタなどの電界効果トランジスタを製造する。【構成】 多結晶Si膜3上にゲート絶縁膜4を介してゲート電極5を形成した後、このゲート電極5を覆うようにポリマー膜のような絶縁膜6を形成する。次に、この絶縁膜6にレーザ光Lを照射し、レーザアブレーションにより、ゲート電極5の側壁の部分以外の部分の絶縁膜6を除去する。この後、ゲート電極5及びその側壁に残された絶縁膜6をマスクとして多結晶Si膜3に不純物をイオン注入することによりソース領域及びドレイン領域を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、上記第1の絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、上記ゲート電極を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜に光を照射することにより上記ゲート電極の側壁の部分以外の部分の上記第2の絶縁膜を除去する工程と、上記ゲート電極及び上記第2の絶縁膜をマスクとして上記半導体基板に不純物を選択的に導入することによりソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを具備する電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
