特許
J-GLOBAL ID：200903046329342528
混晶半導体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-092347
公開番号（公開出願番号）：特開平9-278597
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：
【要約】【課題】 良好な結晶性を保ったままCの組成比を高くし、熱的にも安定なSiGeC半導体を提供する。【解決手段】 第一の単結晶Si層2と単結晶Ge層3と第二の単結晶Si層4と単結晶3C-SiC層5が積層され一つの周期をつくり、これが50周期にわたりSi基板1上に積層される超格子構造をとる。これにより、良好な結晶性を保ったままCの組成比を高くすることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、それぞれ臨界膜厚以下の厚みの3C-SiC単結晶薄膜層と、シリコンもしくはゲルマニウムを含む単結晶薄膜層とが積層されており、前記シリコンを含む単結晶薄膜層と前記ゲルマニウムを含む単結晶層は、それぞれ少なくとも一層は存在する混晶半導体。
IPC (3件)：
C30B 29/68
, H01L 31/10
, H01L 33/00
C30B 29/68
, H01L 33/00 A
, H01L 31/10 A
